檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Sheng-Lyang Jang".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="功率元件"
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近年來,由於電子產品以及電力交通工具的蓬勃發展,使得功率積體電路的應用越來越廣。絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)同時具有高電流與高…
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電子產品的發展日新月異,使得功率積體電路的應用越來越廣泛。 功率金氧半場效電晶體具有高輸入阻抗、高切換速度、小的元件尺寸、以及可承受大電壓和大電流的優點,因此是最常應用在功率積體電路的元件之一。 然…
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本論文主要研究功率半導體元件,而做為開關器使用之功率半導體元件,理想上的導通狀態為短路,並且在截止狀態為開路;在市面上像是傳統的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)在耐高電壓時有過大的串聯…
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近年來,氮化鎵(GaN)以被廣泛研究,跟矽比起來有優良的材料特性。此外,在氮化鎵鋁(AlGaN)與氮化鎵的異質接面處發現了高密度的電子,研究其原因是由於自發性極化效應(Spontaneous Pol…